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MMBT2907ALT1G PNP 600mA 60V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolare Transistoren - BJT RoHS
Produit Parameter
| Attribut | Wäert |
| Hersteller: | ON Semiconductor |
| Produit Kategorie: | Bipolare Transistoren - BJT |
| RoHS: | Detailer |
| Montage Stil: | SMD/SMT |
| Package / Fall: | SOT-23-3 |
| Transistor Polaritéit: | PNP |
| Konfiguratioun: | Single |
| Collector-Emitter Volt VCEO Max: | -60 V |
| Collector- Base Volt VCBO: | -60 V |
| Emitter-Basis Volt VEBO: | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Volt: | - 1,6 V |
| Maximum DC Collector Stroum: | 0,6 A |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Gewënn Bandbreedung Produkt fT: | 200 MHz |
| Minimum Operatioun Temperatur: | -55 C |
| Maximal Operatioun Temperatur: | +150 C |
| Serie: | Spezifikatioune vun MMBT2907AL |
| Verpakung: | Tape schneiden |
| Verpakung: | MouseReel |
| Verpakung: | Reel |
| Héicht: | 0,94 mm |
| Längt: | 2,9 mm |
| Technologie: | Si |
| Breet: | 1,3 mm |
| Marke: | ON Semiconductor |
| Kontinuéierlech Sammelstroum: | -0,6 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 75 |
| Produit Typ: | BJTs - Bipolare Transistoren |
| Factory Pack Quantitéit: | 3000 |
| Ënnerkategorie: | Transistoren |
| Eenheet Gewiicht: | 0.001058 oz |
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