MMBT2222ALT1G NPN 600mA 40V 225mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolare Transistoren - BJT RoHS

Kuerz Beschreiwung:

Spezifikatioune vun MMBT2222ALT1G
Fabrikant: ON Semiconductor
Package: SOT-23 (SOT-23-3)
Beschreiwung: Bipolar Transistors – BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
Informatiounsblat: Kontaktéiert eis w.e.g.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Produit Parameter

Attribut	Wäert
Hersteller:	ON Semiconductor
Produit Kategorie:	Bipolare Transistoren - BJT
RoHS:	Detailer
Montage Stil:	SMD/SMT
Package / Fall:	SOT-23-3
Transistor Polaritéit:	NPN
Konfiguratioun:	Single
Collector-Emitter Volt VCEO Max:	40 V
Collector- Base Volt VCBO:	75 V
Emitter-Basis Volt VEBO:	6 V
Collector-Emitter Saturation Volt:	1 V
Maximum DC Collector Stroum:	0,6 A
Pd - Power Dissipation:	225 mW
Gewënn Bandbreedung Produkt fT:	300 MHz
Minimum Operatioun Temperatur:	-55 C
Maximal Operatioun Temperatur:	+150 C
Serie:	Spezifikatioune vun MMBT2222AL
Verpakung:	Tape schneiden
Verpakung:	MouseReel
Verpakung:	Reel
Héicht:	0,94 mm
Längt:	2,9 mm
Technologie:	Si
Breet:	1,3 mm
Marke:	ON Semiconductor
Kontinuéierlech Sammelstroum:	0,6 A
Produit Typ:	BJTs - Bipolare Transistoren
Factory Pack Quantitéit:	3000
Ënnerkategorie:	Transistoren
Eenheet Gewiicht:	0.001058 oz